X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
IXYS Modules MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
Fiche technique
187En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 65 A 89 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube
IXYS Modules MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
Fiche technique
177En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 125 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 W X-Class Tube
IXYS Modules MOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
Fiche technique
158En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 110 A 33 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.17 kW HiPerFET Tube
IXYS Modules MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 65 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 mW Tube
IXYS Modules MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 41 Semaines
Min. : 300
Mult. : 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube