Résultats: 7
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
24En stock
816/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Fiche technique
32En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Fiche technique
32En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
3216/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Fiche technique
3202/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
3216/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
Fiche technique
30Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray