Modules TRENCHSTOP IGBT7 série C 62 mm

Les modules TRENCHSTOP™ IGBT7 série C 62 mm d'Infineon Technologies offrent unehaute puissance de densité et un coefficient de température positif. La technologie TRENCHSTOP IGBT7 et le boîtier standard rendent les modules idéaux pour les moteurs servo, les systèmes ASI et les véhicules agricoles commerciaux. Les modules TRENCHSTOP IGBT7 séries C 62 mm d'Infineon sont qualifiés pour les applications industrielles.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
24En stock
811/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Fiche technique
32En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Fiche technique
32En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
3211/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
3211/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray