STMicroelectronics MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Fiche technique
1.956En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P
Fiche technique
5.672En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
Fiche technique
5.207En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 108 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
Fiche technique
5.403En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Fiche technique
2.800En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Fiche technique
1.787En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 660 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i
Fiche technique
4.204En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 27.6 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
Fiche technique
9.036En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET
Fiche technique
1.212En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 107 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 72.5 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Fiche technique
3.00023/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 4.5 A 1 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 13 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel