STL117N4LF7AG

STMicroelectronics
511-STL117N4LF7AG
STL117N4LF7AG

Fab. :

Description :
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

Modèle de ECAO:
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Ext. Prix
1,73 € 1,73 €
1,11 € 11,10 €
0,765 € 76,50 €
0,648 € 324,00 €
0,542 € 542,00 €
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0,515 € 1.545,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
40 V
119 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
27.6 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 18 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 11 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 48.3 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
Poids de l''unité: 76 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible RDS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible RDS(on) du marché.
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