Transistor HEMT 30 W/60 W, 48 V, au GaN sur SiC QPD0011

Le QPD0011 de Qorvo est un transistor à grande mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC), de 30 W/60 W, 48 V, conçu pour servir d'amplificateur de puissance asymétrique à deux voies pour applications de Doherty. Le QPD0011 se caractérise par sa plage de fréquence de 3,3 GHz à 3,6 GHz et son gain maximal de Doherty de 13,3 dB. Chaque voie intègre un transistor qui fonctionne comme un unique étage d'amplification. Le QPD0011 peut fournir une puissance moyenne de 15 W dans un montage Doherty.