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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04.14.2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
04.06.2026
MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V
04.02.2026
Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG
03.31.2026
Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P
03.31.2026
Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.    
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N
03.27.2026
Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste. 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
03.20.2026
à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8
03.17.2026
Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm  et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™
Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™
03.17.2026
Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL
03.13.2026
Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L
Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L
03.09.2026
Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N
03.05.2026
Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
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