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Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N
03.05.2026
Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R
TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R
02.05.2026
Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.
IXYS MOSFET de puissance X4-Class
IXYS MOSFET de puissance X4-Class
02.02.2026
Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01.20.2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01.19.2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01.19.2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
12.26.2025
Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
12.23.2025
Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12.19.2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
12.19.2025
Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12.04.2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12.04.2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
12.01.2025
Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
11.25.2025
Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
11.25.2025
Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
11.20.2025
Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.
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