Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Luxembourg

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Filtres appliqués:

Fabricant = Diodes Incorporated Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

10.01.2024

- Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

08.01.2024

- MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

05.01.2024

- Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

04.01.2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV

01.01.2024

- Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ

03.30.2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 à faible résistance RDS (ON) qui garantit des pertes minimales à l’état passant.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV

03.06.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN3732UFB4

01.24.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH15H017LPSWQ

01.18.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH41M2SPSQ

01.17.2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 avec une faible RDS(ON) qui garantit des pertes minimales à l'état passant.

Diodes Incorporated MOSFET à canal N en mode amélioration DMN52D0LT

01.04.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UVA

01.04.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Consulter : 1 - 15 sur 15

Filtrer par :

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03.13.2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03.05.2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02.02.2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

Consulter : 1 - 25 sur 276

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance