Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Luxembourg

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PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02.17.2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09.04.2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09.03.2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08.29.2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08.29.2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

10.16.2023

- Feature a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

10.16.2023

- Features a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

08.15.2023

- Feature low RDS(ON) and high switching speed.

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs

06.06.2023

- Low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω.

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

05.30.2023

- Offers a low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified, DFN5060-8L package.

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

11.16.2022

- Utilize Trench technology to improve the product characteristics.

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

07.08.2022

- Features advanced Trench Process technology and optimized for use as relay drivers and line drivers.

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04.14.2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03.13.2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03.05.2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02.02.2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

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