Les plus récent(e)s Transistors

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Types de Transistors

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Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia Carte Transistors à jonction bipolaire MJPEx (BJT))

08.26.2025

- Le boîtier CFP15B offre une alternative compacte et économique à la série MJD dans le boîtier DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08.19.2025

- FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07.03.2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07.03.2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA

04.14.2025

- HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.

Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

04.14.2025

- MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.

Nexperia NX5020x FET à mode d’amélioration à canal N

04.01.2025

- Les dispositifs ont une tension de seuil très faible et une commutation très rapide grâce à la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET de puissance à application spécifique

01.21.2025

- Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.

Nexperia ASFET CCPAK pour hotswap et démarrage progressif

01.08.2025

- Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.

Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

12.30.2024

- Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.

Nexperia Transistors de puissance BC869-Q

12.11.2024

- Transistors de puissance moyenne PNP dans un boîtier SOT89 (SC-62) de puissance moyenne et plastique à broches plates.

Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA

10.01.2024

- Un transistor à haute mobilité électronique bipolaire (HEMT) GaN bidirectionnel de 40 V, 4,8 mΩ dans un boîtier WLCSP.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M

08.30.2024

- Basé sur la technologie de grille divisée à faible valeur ohmique Trench 14 et logé dans un boîtier LFPAK56E.

Nexperia Transistors PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q

07.04.2024

- Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.

Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA

07.02.2024

- Un FET au nitrure de gallium (GaN) à usage général de 150 V, 3,9 mΩ dans un boîtier VQFN.

Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

07.01.2024

- Offers superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package.

Nexperia MOSFET à canal N NextPower PSMNxRx-80YSF

06.24.2024

- MOSFET à commande de grille de niveau standard de 80 V avec un faible Qrr pour une efficacité plus élevée et un pic plus faible.

Nexperia MOSFET à canal N NSF0x120L4A0

04.23.2024

- MOSFET de puissance 1 200 V à base de carbure de silicium (SiC) dans des boîtiers plastiques TO-247 à 4 broches bien connus.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BSS138AK

04.04.2024

- AEC-Q101-qualified N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small SMD packages.

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11.19.2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11.07.2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

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