Nexperia MOSFET de puissance spécifiques à une application
Les MOSFET de puissance spécifiques à une application de Nexperia optimisent leurs paramètres pour répondre aux exigences spécifiques de telle ou telle application. Nexperia allie un savoir-faire reconnu en matière de MOSFET à une fine connaissance des applications pour développer une gamme croissante de MOSFET spécifiques à certaines applications.Les ASFET pour l'échange à chaud et ledémarrage progressif sont conçus pour prendre en charge les applications et les équipements fonctionnant en continu. Les ASFET CCPAK pour l'échange à chaud et le démarrage progressif offrent un mode linéaire fiable, une zone de sécurité de fonctionnement (SOA) améliorée et une faible résistance à l'état passant RDS(on). Les ASFET CCPAK sont conçus pour contrôler soigneusement le courant d'appel afin de protéger les composants des cartes de rechange insérées dans un système sous tension.
Les ASFET pour PoE, eFuse et le remplacement de relais ont été spécialement développés pour compléter les contrôleurs PSE modernes de haute puissance. Les dispositifs utilisent la même technologie silicium que les ASFET plus puissants pour l'échange à chaud. Ces ASFET plus petits offrent une zone de sécurité de fonctionnement (SOA) améliorée pour les applications en mode linéaire defaible puissance, et sont disponibles dans une gamme de boîtiers compacts DFN2020 (2 mm x 2 mm) et LFPAK33 (3,3 mm x 3,3 mm).
Les ASFET pour systèmes de batterie et eFuse sont conçus spécifiquement pour les équipements alimentés par batterie multicellulaire. Les batteries Li-ion présentent l'avantage d'avoir une densité d'énergie élevée. Cependant, cela peut devenir problématique en cas de défaut, avec le risque d’une décharge d’énergie massive et incontrôlée, entraînant une surchauffe des charges et de potentiels incendies de circuits. Un MOSFET extrêmement robuste et thermiquement efficace est nécessaire pour gérer toute décharge importante de manière contrôlée jusqu'à ce que la batterie soit isolée en toute sécurité et que le système soit mis hors tension. C’est une application idéale pour les dispositifs de Nexperia les plus exigeants, logés dans des boîtiers LFPAK.
Les ASFET pour le contrôle des moteurs à CC, y compris les ASFET 50 V/55 V, sont conçus pour répondre aux exigences des moteurs 36 V. Cela concerne les outils électriques sans fil, les équipements électriques d'extérieur, ainsi que les vélos et scooters électriques. Pour piloter ces applications exigeantes de manière sûre et efficace, il est nécessaire d'utiliser des MOSFET optimisés pour un courant élevé, une SOA robuste et une tenue aux avalanches élevée.
Caractéristiques
- ASFET pour l'échange à chaud et ledémarrage progressif
- Des MOSFET offrant de solides performances en mode linéaire et une zone de fonctionnement (SOA) améliorée sont nécessaires pour gérer de manière efficace et fiable le courant d'appel lors de l'introduction de charges capacitives dans le panneau arrière
- Une fois la carte de rechange mise sous tension en toute sécurité, le MOSFET est complètement activé.
- ASFET pour systèmes de batterie et eFuse
- En cas de défaut, le MOSFET d’isolation de la batterie passe normalement en mode linéaire en raison des tensions générées aux bornes de l’inductance du circuit lors d'un courant élevé lorsque le défaut provoque une décharge profonde.
- Les MOSFET à forte SOA continuent de fonctionner de manière sûre et contrôlable jusqu'à leur mise hors tension, isolant ainsi complètement la batterie du circuit de charge.
- Une faible RDS(on) est nécessaire pour réduire les pertes de conduction en fonctionnement normal, mais les paramètres doivent être optimisés pour une isolation sûre de labatterie.
- Les MOSFET d’isolation de batterie robustes peuvent être utilisés comme protection principale pour l’homologaton des équipements.
- Une tension de seuil basse (Vt) peut être nécessaire car le circuit intégré de protection de la batterie peut n'avoir qu’une tension de commande de grille de 2 V à 3 V
- ASFET pour Power over Ethernet
- Le rôle principal du MOSFET est de gérer en toute sécurité le courant d'appel lors de l'ajout de charges capacitives au réseau.
- Zone de fonctionnement sécurisé (SOA) élargie et améliorée pour résister à la dissipation d'énergie due aux conditions de courts-circuits jusqu'à ce que le contrôleur PSE détecte le défaut et coupe l'alimentation
- Une protection améliorée offrant plus de deux fois plus de protection que les dispositifs concurrents. Lors d'un court-circuit sur un câble, les ASFET pour le PoE peuvent dissiper en toute sécurité jusqu'à 30 W sous une température ambiante de +60 °C pendant une durée maximale de 20 ms
- La possibilité d’intégrer davantage de ports PoE haute puissance dans un routeur/commutateur compact nécessite une densité de puissance supérieure, offerte par l’efficacité thermique et l’encombrement réduit du boîtier LFPAK33
- ASFET pour le contrôle de moteurs à CC
- 50 V/55 V pour les moteurs CC 36 V, SOA optimisée, ID nominal élevé et excellente tenue à l'avalanche
- ID élevé pour les surcharges du moteur, capacité de courant maximale jusqu’à 500 A
- Demi-pont pour les applications de moteurs à espace restreint, inductance parasite réduite de 60 % et performance thermique améliorée
- Avalanche répétitive pour les moteurs à CC à espace restreint, tenue en avalanche répétitive garantie
Applications
- Alimentation via Ethernet (PoE)
- Systèmes de batterie et eFuse
- Contrôle de moteurs à CC
- Échange à chaud et démarrage progressif
Notes d’application
- Note d'application interactive - MOSFET dans les applications de commutation de puissance (IAN50020)
- Note d'application interactive -MOSFET de puissance en mode linéaire (IAN50006)
- Note d'application interactive - Mise en parallèle de MOSFET de puissance dans les applications haute puissance (IAN50005)
- Utilisation des courbes d'impédance thermique transitoire (Zth) d'un MOSFET de puissance (AN11156)
- Signature de défaillance d'une surcharge électrique sur un MOSFET de puissance (AN11243)
- Modèles thermiques RC (AN11261)
- Mise en parallèle de MOSFET de puissance dans les applications de forte puissance (AN50005)
- Conception de MOSFET pour un fonctionnement de pilote de grille sûr et fiable (AN90001)
- Guide de conception thermique des MOSFET LFPAK (AN90003)
- Comprendre les paramètres des fiches techniques des MOSFET de puissance (AN11158)
- Utilisation des modèles thermiques RC (AN11261)
- Évaluation de la résistance des MOSFET de puissance à l'avalanche répétitive et à déclenchement unique (AN10273)
- Conception des amortisseurs RC (AN11160)
- Utilisation de MOSFET de puissance en parallèle (AN11599)
- MOSFET de puissance en mode linéaire (AN50006)
- Conception de MOSFET pour un fonctionnement de pilote de grille sûr et fiable (AN90001)
- Commutation MOSFET demi-pont et son impact sur la CEM (AN90011)
- Courants continus maximaux dans les MOSFET de puissance LFPAK de Nexperia (AN90016)
- Résistance thermique du MOSFET LFPAK - Simulation, test et optimisation de la disposition du circuit imprimé
Blogs
- Blog : Amélioration des performances de l'échange à chaud avec le LFPAK88
- Blog : Comment la technologie du clip en cuivre permet de créer des boîtiers parfaits pour l’avenir de l'électronique de puissance
- Blog : La protection des thermostats intelligents avec des MOSFET à SOA améliorée et boîtier compact
- Blog : Optimisation des MOSFET pour des applications spécifiques
- Blog : Innover pour répondre à l'évolution des normes - UL 2595
- Blog : La Qrr : un paramètre ignoré et sous-estimé dans la quête d’efficacité
- Blog : L'Instagrid : une véritable révolution dans le domaine de l'énergie portable
- Blog : Réduire l'encombrement du hotswap tout en améliorant la SOA
- Blog : La ratification de la normeIEEE802.3bt ouvre la voie à de nouvelles opportunités pour le PoE, les équipements d'alimentation (PSE) et les appareils alimentés (PD)
- Blog : L'isolation efficace des batteries de 36 V
Communiqués de presse
- Nexperia élargit sa gamme de solutions FET discrètes à l'APEC 2024
- Nexperia lance de nouveaux MOSFET spécifiques aux applications (ASFET) pour l'échange à chaud avec une amélioration de la SOA deux fois supérieure
- Les MOSFET de Nexperia offrent la meilleure zone de fonctionnement (SOA) de leur catégorie et une RDS(on) améliorée pour les conceptions hot-swap
- Nexperia améliore les performances de ses MOSFET à faible résistance (RDS(on)) avec le lancement d'un produit à 0,57 mΩ en boîtier LFPAK56
- Nexperia annonce le lancement de MOSFET dotés de la plus faible RDS(on) du marché dans des boîtiers LFPAK56 et LFPAK33 sans aucun compromis sur les autres paramètres essentiels
- Les nouveaux MOSFET spécifiques à une application (ASFET) de Nexperia pour le hot-swap augmentent la zone de fonctionnement (SOA) de 166 % et réduisent l’empreinte sur le circuit imprimé de 80 %
