Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Luxembourg

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onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10.14.2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10.14.2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10.06.2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09.08.2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P

09.04.2025

- Idéal pour les conceptions à espace restreint où la densité de puissance et la fiabilité sont essentielles.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06.23.2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06.09.2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10

05.13.2025

- Conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC.

onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

04.28.2025

- Offre une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm certifié AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

04.28.2025

- Dotés d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction.

onsemi MOSFET NVTFWS003N04XM

04.28.2025

- Une faible capacité et une faible RDS(on) dans un boîtier à petite empreinte µ8FL, de 3,3 mm x 3,3 mm, homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVMFWS1D7N04XM

04.17.2025

- MOSFET à grille STD et canal N simple 154 A, 40 V dans un boîtier SO8FL.

onsemi MOSFET NVTFWS002N04XM

04.17.2025

- Présente une faible résistance RRDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm conforme à la norme AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVMFWS4D0N04XM

04.17.2025

- Offre une faible RDS(on) et une faible capacité dans un petit boîtier SO-8FL de 5 mm x 6 mm homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVMFWS0D45N04XM

04.17.2025

- MOSFET à grille STD, canal N, simple, 40 V, 469 A, dans un boîtier SO8FL.

onsemi Vision des machines

03.18.2025

- Une large gamme de solutions de capteurs d'images, du VGA au 45 MP, pour les besoins de vision industrielle.

onsemi MOSFET à canal N NTTFD1D8N02P1E

03.05.2025

- Dispositif double asymétrique proposé dans une petite empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm pour une conception compacte.

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10.17.2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10.14.2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10.14.2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10.08.2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10.06.2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7

10.02.2025

- Propose des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

09.30.2025

- Transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09.08.2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

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