QspiNAND Flash Memory

Winbond QspiNAND Flash Memory is high-performance, low-power memory built with Single-Level Cell (SLC) memory technology and implementing 1-bit Error Correction Code (ECC) on all read and write operations. The integrated ECC detects and corrects errors and enables contiguous good memory (bad block management). This feature offloads these functions from an external controller. The QspiNAND Flash Memory also supports Executive-in-Place (XiP) functionality, in which an SoC or processor executes application code directly from the external flash memory without shadowing it to DRAM.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Série Taille de la mémoire Type d'interface Organisation Type de chronométrage Largeur du bus de données Tension d’alimentation - Min. Tension d’alimentation - Max. Courant d’alimentation maximal Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Winbond Flash NAND 512Mb Serial NAND flash, 3V 3.328En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond Flash NAND 1G-bit Serial NAND flash, 3V 430En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100

SMD/SMT TFBGA-24 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray

Winbond Flash NAND 1G-bit Serial NAND flash, 3V 1.180En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond Flash NAND 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V 81En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube