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BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 13.88 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BM3G005MUV-LBE2

N° de fab. :

BM3G005MUV-LBE2

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

FET GaN PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

BM3G005MUV-LBE2 Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	13,88 €	13,88 €
	10,74 €	107,40 €
	9,78 €	978,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	8,85 €	8.850,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VQFN-46
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	68.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 105 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Nano Cap; EcoGaN
Marque:	ROHM Semiconductor
Temps de descente:	2.7 ns
Fréquence de fonctionnement max.:	2 MHz
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	GaN HEMT Power Stage
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	Si
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

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