ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor réalise la conception et la fabrication de semiconducteurs, de circuits intégrés et d'autres composants électroniques pour les marchés sans fil, informatique, automobile et de l'électronique grand public. Le portefeuille de produits de ROHM Semiconductorcomprend des CI audio/vidéo, des liaisons audio sans fil, des capteurs d'image, des composants discrets de protection contre le bruit, des produits de mémoire avec technologie à double cellule, descomposants de gestion d'alimentation économes en énergie et des LED.
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ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LBL’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.24.11.2025 -
ROHM Semiconductor Réflecteur photo RPR-0730Capteur optique analogique à VCSEL infrarouge (IrVCSEL) et phototransistor.06.11.2025 -
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWMIls comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.03.11.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 VLes dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.17.10.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3xMOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.16.10.2025 -
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-ZConçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.26.09.2025 -
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFHDiodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2SUne diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWBMOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxATComprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBGMOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SMPrésente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.20.08.2025 -
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mALes dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRAMOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 VMOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRAUn MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 VMOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRAMOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 VUn MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation LogiCoA003-EVK-001Conçue pour évaluer et démontrer les performances des solutions LogiCoA™.08.08.2025 -
