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IMZA120R020M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA120R020M1HXK
Price: 17.17 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IMZA120R020M1HXK

N° de fab. :

IMZA120R020M1HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Fiche technique:

IMZA120R020M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	98 A
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	83 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Infineon Technologies
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Raccourcis pour l'article N°:	IMZA120R020M1H SP005448293

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TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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