MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9

Le MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9 de STMicroelectronics est conçu pour les MOSFET moyenne/haute tension disposant d'une très faible RDS(on) par zone, associée à une diode à récupération rapide. Le dispositif met en œuvre une technologie de super-jonction innovante MDmesh DM9 offrant un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de dispositif améliorée.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 244En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 236En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1.142En stock
1.00005/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 82En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube