Transistors MOSFET de puissance à canal P 12 V-250 V

Les MOSFET de puissance à canal P 12 V-250 V d'Infineon offrent au concepteur une nouvelle option qui peut simplifier le circuit tout en optimisant les performances. Le principal avantage d'un dispositif à canal P est une conception moins complexe dans les applications à faible et moyenne puissance. Les MOSFET de puissance à canal P sont idéalement conçus pour la protection de la batterie, la protection contre les inversions de polarité, les chargeurs de batterie linéaires, la commutation de charge, les convertisseurs CC-CC et les applications à faible tension.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 915En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 63 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 219 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
3.37026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 990 mA 200 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel