Modules d'alimentation IGBT 7

Les modules d'alimentation à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) 7de Microchip Technology, sont composés de plusieurs puces IGBT et de diodes roue libre encapsulées dans un seul boîtier, créant ainsi une solution compacte et efficace pour les applications à haute puissance. Ces modules contrôlent et convertissent l’énergie électrique et disposent d'une capacité de puissance accrue et de pertes de puissance réduites. La gamme IGBT 7 comprend une variété de types de boîtier et de topologies avec une plage de tension de 1 200 V à 1 700 V et une plage de courant de 50 A à 900 A. Ces modules d'alimentation constituent une amélioration par rapport aux anciennes générations en offrant des VCE(sat) et Vf inférieurs, une contrôlabilité de dv/dt améliorée, une capacité de courant 50 % plus élevée, une capacité de surcharge à Tj +175 °C, une douceur de diode roue libre améliorée et un entraînement plus simple. Ces fonctionnalités offrent une proposition de valeur différenciée de haute densité de puissance, des coûts système réduits, une efficacité plus élevé, une facilité d'utilisation, une durabilité et un délai de commercialisation plus rapide.

Résultats: 6
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max.
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
1004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
1004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
1004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
1004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
1004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
1004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C