APTGX600A170TDP3EG

Microchip Technology
579-TGX600A170TDP3EG
APTGX600A170TDP3EG

Fab. :

Description :
Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3

Cycle de vie:
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Microchip
Catégorie du produit: Modules IGBT
RoHS:  
IGBT Modules
Dual
1.7 kV
1.7 V
600 A
200 nA
2.272 kW
- 40 C
+ 175 C
Marque: Microchip Technology
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: Not Available
Tension de l'émetteur de porte max.: 20 V
Style de montage: Press Fit
Type de produit: IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Technologie: Si
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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095

Modules d'alimentation IGBT 7

Les modules d'alimentation à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) 7de Microchip Technology, sont composés de plusieurs puces IGBT et de diodes roue libre encapsulées dans un seul boîtier, créant ainsi une solution compacte et efficace pour les applications à haute puissance. Ces modules contrôlent et convertissent l’énergie électrique et disposent d'une capacité de puissance accrue et de pertes de puissance réduites. La gamme IGBT 7 comprend une variété de types de boîtier et de topologies avec une plage de tension de 1 200 V à 1 700 V et une plage de courant de 50 A à 900 A. Ces modules d'alimentation constituent une amélioration par rapport aux anciennes générations en offrant des VCE(sat) et Vf inférieurs, une contrôlabilité de dv/dt améliorée, une capacité de courant 50 % plus élevée, une capacité de surcharge à Tj +175 °C, une douceur de diode roue libre améliorée et un entraînement plus simple. Ces fonctionnalités offrent une proposition de valeur différenciée de haute densité de puissance, des coûts système réduits, une efficacité plus élevé, une facilité d'utilisation, une durabilité et un délai de commercialisation plus rapide.