IGBT à tranchée et arrêt de champ 650 V RGW

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée 650 V RGW de ROHM Semiconductor offrent une faible tension de saturation collecteur-émetteur dans un petit boîtier. Les IGBT RGW disposent d'une commutation à haut débit, d'une faible perte de commutation et d'une FRD de récupération très rapide et progressive intégrée. Les IGBT à tranchée et arrêt de champ 650 V RGW de ROHM sont idéaux pour les onduleurs solaires, les onduleurs, les soudure, les IH et les applications PFC.

Résultats: 51
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs TO3P 650V 16A TRNCH
Fiche technique
895En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
Fiche technique
2.394En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
Fiche technique
2.388En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 60A TRNCH
Fiche technique
2.387En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
Fiche technique
Commentaire Produit
443En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 81 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
448En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 30 A 67 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
Fiche technique
2.394En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 60A TRNCH
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
Fiche technique
Commentaire Produit
3En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube