transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx

Les transistors à haute mobilité d’électrons (e-HEMT) à mode d’amélioration GS665xx Infineon Technologies disposent d’un courant élevé, d’une rupture de tension élevée et d’une fréquence de commutation élevée. Ces transistors de puissance comprennent une disposition de cellule Island Technology avec une puce à courant élevé et un rendement élevé, tandis que le petit boîtier GaNPX^® permet une faible inductance et une faible résistance thermique. Ces transistors de puissance offrent une très faible résistance thermique jonction-boîtier pour les applications à haute puissance. Les transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx sont disponibles en transistors refroidis côté inférieur ou côté supérieur. Ces transistors de puissance fournissent une puce FOM ultra-faible, une capacité de courant inverse et une perte de récupération inverse nulle.