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GS66504B-MR

Name: Infineon GS66504B-MR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66504B-MR
Price: 12.58 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

499-GS66504B-MR

N° de fab. :

GS66504B-MR

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

GS66504B-MR Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	12,58 €	12,58 €
	9,39 €	93,90 €
	8,12 €	812,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	8,12 €	2.030,00 €
	7,69 €	3.845,00 €
	6,54 €	6.540,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

GS66504B-TR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

12,59 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	GaNpx
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	130 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.1 V
Qg - Charge de grille:	3.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	GaNPX
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Kit de développement:	GS665MB-EVB, GS-EVB-ACDC-300W-ON
Fréquence de fonctionnement max.:	10 MHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Série:	GS665xx
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Type de transistor:	E-Mode
Raccourcis pour l'article N°:	GS66504B-E01-MR
Poids de l''unité:	14,594 g

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EOL

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx

Les transistors à haute mobilité d’électrons (e-HEMT) à mode d’amélioration GS665xx Infineon Technologies disposent d’un courant élevé, d’une rupture de tension élevée et d’une fréquence de commutation élevée. Ces transistors de puissance comprennent une disposition de cellule Island Technology avec une puce à courant élevé et un rendement élevé, tandis que le petit boîtier GaNPX^® permet une faible inductance et une faible résistance thermique. Ces transistors de puissance offrent une très faible résistance thermique jonction-boîtier pour les applications à haute puissance. Les transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx sont disponibles en transistors refroidis côté inférieur ou côté supérieur. Ces transistors de puissance fournissent une puce FOM ultra-faible, une capacité de courant inverse et une perte de récupération inverse nulle.