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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT IHV IHM T
Fiche technique
Délai de livraison 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.3 V 1.4 kA 400 nA 2.9 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
Infineon Technologies Modules IGBT IHV IHM T
Fiche technique
Délai de livraison 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.2 V 2 kA 400 nA 4.2 MW - 40 C + 150 C Tray