FZ2000R33HE4BOSA1

Infineon Technologies
726-FZ2000R33HE4BOSA
FZ2000R33HE4BOSA1

Fab. :

Description :
Modules IGBT IHV IHM T

Modèle de ECAO:
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Infineon
Catégorie du produit: Modules IGBT
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
Single
3.3 kV
2.2 V
2 kA
400 nA
4.2 MW
- 40 C
+ 150 C
Tray
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: AT
Type de produit: IGBT Modules
Série: Trenchstop IGBT4 - E4
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: IGBTs
Technologie: Si
Nom commercial: TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°: FZ2000R33HE4 SP003062218
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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Modules IGBT 3 300 V FZ2000R33HE4 et FZ1400R33HE4

Les modules IGBT à commutateur unique 3 300 V FZ2000R33HE4 et FZ1400R33HE4 d'Infineon Technologies disposent d'un IGBT4 TRENCHSTOP™ et de 4 diodes contrôlées par émetteur. Les transistors bipolaires à grille isolée sont des semi-conducteurs de puissance à trois bornes utilisés comme commutateurs électroniques pour obtenir un rendement élevé et une commutation rapide. Le FZ2000R33HE4 est un module à commutateur unique de 2 000 A, de 190 mm. Le FZ1400R33HE4 est un module à commutateur unique 1 400 A, de 130 mm. Ces composants offrent une capacité de court-circuit et une densité de courant élevées, avec des pertes de commutation faibles. Les applications incluent les convertisseurs haute puissance, les convertisseurs à tension moyenne, et les entraînements de moteurs et de traction.