MOSFET de puissance à super-jonction CFD7 CoolMOS 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7 CoolMOS™ 650 V Infineon Technologies sont des diodes ultra-rapides qui étendent l'offre de classe de tension de la famille CFD7. Les MOSFET de puissance sont fournis avec une tension de claquage supplémentaire de 50 V, une diode de corps rapide intégrée, des performances de commutation supérieures et un excellent comportement thermique. Les MOSFET de puissance CFD7 offrent le plus haut rendement dans les topologies de commutation résonnante, par exemple les topologies LLC et à pont complet et décalage de phase (ZVS). Les MOSFET combinent tous les avantages d'une technologie de commutation rapide avec une robustesse de calcul dur supérieure. Ces MOSFET de puissance prennent en charge la technologie CFD7 CoolMOS™, qui répond aux normes de fiabilité et est compatible avec les solutions à haute densité de puissance.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Fiche technique
525En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Fiche technique
525En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
384En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
272En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
439En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1.037En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
140En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
734En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
633En stock
1.00016/02/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
318En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
151En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
136En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
94En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 19 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Fiche technique
240Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube