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IPB65R041CFD7ATMA1

Name: Infineon IPB65R041CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-B65R041CFD7ATMA1
Price: 7.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-B65R041CFD7ATMA1

N° de fab. :

IPB65R041CFD7ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPB65R041CFD7ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	7,59 €	7,59 €
	5,19 €	51,90 €
	4,11 €	411,00 €
	4,10 €	2.050,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	3,84 €	3.840,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-2 (TO-263-2)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	102 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	227 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPB65R041CFD7 SP005413357

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7 CoolMOS 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7 CoolMOS™ 650 V Infineon Technologies sont des diodes ultra-rapides qui étendent l'offre de classe de tension de la famille CFD7. Les MOSFET de puissance sont fournis avec une tension de claquage supplémentaire de 50 V, une diode de corps rapide intégrée, des performances de commutation supérieures et un excellent comportement thermique. Les MOSFET de puissance CFD7 offrent le plus haut rendement dans les topologies de commutation résonnante, par exemple les topologies LLC et à pont complet et décalage de phase (ZVS). Les MOSFET combinent tous les avantages d'une technologie de commutation rapide avec une robustesse de calcul dur supérieure. Ces MOSFET de puissance prennent en charge la technologie CFD7 CoolMOS™, qui répond aux normes de fiabilité et est compatible avec les solutions à haute densité de puissance.