Module SiC demi-pont NXH006P120MNF2PTG

Le module SiC demi-pont NXH006P120MNF2PTG onsemi dispose de deux commutateurs MOSFET SiC 6 mΩ 1 200 V et d’une thermistance dans un boîtier F2. Les commutateurs MOSFET SiC utilisent la technologie M1 et sont pilotés par un pilote de grille 18 à 20 V. Le module NXH006P120MNF2 offre une faible résistance thermique de la puce et une fiabilité améliorée grâce à sa technologie planaire. Les applications standard incluent la conversion CC-CA, la conversion CC-CC, les systèmes de stockage d’énergie, les onduleurs, la conversion CA-CC, les stations de charge de véhicules électriques et les onduleurs solaires. 

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Série Conditionnement


onsemi Modules MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE 44En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray
onsemi Modules MOSFET 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 12En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray