NXH006P120MNF2PTG

onsemi
863-XH006P120MNF2PTG
NXH006P120MNF2PTG

Fab. :

Description :
Modules MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 44

Stock:
44 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
17 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
177,49 € 177,49 €
173,72 € 1.737,20 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
- 15 V, + 25 V
- 40 C
+ 150 C
NXH006P120MNF2
Tray
Marque: onsemi
Type de produit: MOSFET Modules
Nombre de pièces de l'usine: 20
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Nom commercial: EliteSiC
Type: Half Bridge
Vr - Tension inverse: 1.2 kV
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Module SiC demi-pont NXH006P120MNF2PTG

Le module SiC demi-pont NXH006P120MNF2PTG onsemi dispose de deux commutateurs MOSFET SiC 6 mΩ 1 200 V et d’une thermistance dans un boîtier F2. Les commutateurs MOSFET SiC utilisent la technologie M1 et sont pilotés par un pilote de grille 18 à 20 V. Le module NXH006P120MNF2 offre une faible résistance thermique de la puce et une fiabilité améliorée grâce à sa technologie planaire. Les applications standard incluent la conversion CC-CA, la conversion CC-CC, les systèmes de stockage d’énergie, les onduleurs, la conversion CA-CC, les stations de charge de véhicules électriques et les onduleurs solaires.