MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les alimentations électriques automobiles et à découpage. Les MOSFET de puissance SiC peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, diminuant les volumes de condensateurs, de réacteurs et d'autres composants requis. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 offrent d'excellentes réductions de taille et de poids au sein de divers systèmes d'entraînement, tels que les onduleurs et les convertisseurs CC-CC dans les véhicules.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Fiche technique
1.201En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Fiche technique
1.488En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Fiche technique
750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Fiche technique
6En stock
45018/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Fiche technique
321En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Fiche technique
85En stock
45018/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
117En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 80 mOhms - 6 V, + 22 V 1.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
45023/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 450
Mult. : 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101