GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC

Les GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC de Wolfspeed / Cree sont des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) 50 V basés sur la technologie au nitrure de gallium sur carbure de silicium. Les dispositifs au GaN sur SiC offrent une haute densité de puissance associée à une tension de claquage élevée, permettant d'avoir des amplificateurs de puissance très efficaces. Les GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC disposent de correspondance d'entrée, d'une haute efficacité, et de boîtiers thermiquement endurcis. Ces dispositifs à impulsion/OC (onde continue) ont une largeur d'impulsion de 128 µ et un cycle de service de 10 %.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs th - Tension de seuil grille-source

MACOM FET GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Fiche technique
9En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM FET GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Fiche technique
Non stocké
Min. : 250
Mult. : 250
Bobine: 250

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM FET GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50
Bobine: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V