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GTVA107001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA107001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA107001ECV1R0
Price: 931.03 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

941-GTVA107001ECV1R0

N° de fab. :

GTVA107001EC-V1-R0

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W

Fiche technique:

GTVA107001EC-V1-R0 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	H-36248-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Marque:	MACOM
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	18 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	1.215 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	960 MHz
Alimentation en sortie:	890 W
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V
Poids de l''unité:	8,198 g

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Fiche technique

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC

Les GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC de Wolfspeed / Cree sont des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) 50 V basés sur la technologie au nitrure de gallium sur carbure de silicium. Les dispositifs au GaN sur SiC offrent une haute densité de puissance associée à une tension de claquage élevée, permettant d'avoir des amplificateurs de puissance très efficaces. Les GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC disposent de correspondance d'entrée, d'une haute efficacité, et de boîtiers thermiquement endurcis. Ces dispositifs à impulsion/OC (onde continue) ont une largeur d'impulsion de 128 µ et un cycle de service de 10 %.