MOSFET de puissance 100 V OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance 100V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies sont proposés dans des boîtiers SuperSO8 et PQFN 3,3 x 3,3, tout en étant optimisés pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications et l'énergie solaire, où les pertes sont associées aux charges (commutation) et à la résistance à l'état passant (conduction). De plus, en raison du meilleur RDS(on) de sa catégorie et d'une zone de fonctionnement sécurisée plus large (SOA), le composant est également idéal pour les applications alimentées par batterie (BPA) et les systèmes de gestion de batterie (BMS).

Résultats: 8
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
10.262En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
2.513En stock
10.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
7.986En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
9.913En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
80En stock
20.000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
200En stock
15.00020/08/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
2.259En stock
5.00012/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
26.269Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel