ISC230N10NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC230N10NM6ATMA
ISC230N10NM6ATMA1

Fab. :

Description :
MOSFET IFX FET >80 - 100V

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 3.767

Stock:
3.767
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
5.000
30/04/2026 attendu
Délai usine :
52
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,34 € 1,34 €
0,849 € 8,49 €
0,567 € 56,70 €
0,464 € 232,00 €
0,407 € 407,00 €
0,374 € 935,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
0,369 € 1.845,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
31 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
7.4 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: AT
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 13 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 1 ns
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 6.5 ns
Délai d'activation standard: 4.5 ns
Raccourcis pour l'article N°: ISC230N10NM6 SP005402670
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de RDS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

MOSFET de puissance 100 V OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance 100V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies sont proposés dans des boîtiers SuperSO8 et PQFN 3,3 x 3,3, tout en étant optimisés pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications et l'énergie solaire, où les pertes sont associées aux charges (commutation) et à la résistance à l'état passant (conduction). De plus, en raison du meilleur RDS(on) de sa catégorie et d'une zone de fonctionnement sécurisée plus large (SOA), le composant est également idéal pour les applications alimentées par batterie (BPA) et les systèmes de gestion de batterie (BMS).