Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 44.87 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

772-UG4SC075005L8S

N° de fab. :

UG4SC075005L8S

Fab. :

onsemi

Description :

JFET UG4SC075005L8S

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

UG4SC075005L8S Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi UG4SC075005L8S

En stock: 1.760

Stock:: 1.760 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	44,87 €	44,87 €
	38,32 €	383,20 €
	35,91 €	3.591,00 €
	35,90 €	17.950,00 €
	35,89 €	35.890,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	33,11 €	66.220,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MO-229-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 30 V to 30 V
Courant drain/source à Vgs=0:	6 uA
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Pd - Dissipation d’énergie :	1.153 kW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	UG4S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

UG4SC075005L8S Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FET

Les Combo-FET d'Onsemi sont des dispositifs révolutionnaires qui combinent un JFET SiC à faible R_DS(on) d'Onsemi avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique. Spécialement conçus pour des applications de protection à basse fréquence, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs de batterie et la protection contre les surtensions, ces Combo-FET permettent aux utilisateurs d'accéder à la grille du JFET pour optimiser la conception. L'intégration du MOSFET Si dans ces Combo-FET d'Onsemi garantit une solution normalement éteinte, ce qui permet de réduire la taille de plus de 25 % par rapport aux implémentations discrètes.

Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ

Les Combo FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ d’onsemi combinent un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L. Cette conception permet d’obtenir un commutateur normalement éteint tout en bénéficiant de la résistance en conduction ultra-faible [R_DS(on)] et de la robustesse d’un JFET SiC normalement activé. La série Combo FET UG4SC d’onsemi est idéale pour la commutation à haute énergie dans la protection de circuit. Pour la conversion d’énergie en mode commutation, les dispositifs offrent un accès séparé à la grille du JFET et du MOSFET, améliorant ainsi le contrôle de la vitesse et simplifiant le couplage en parallèle de plusieurs dispositifs.