Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de RDS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.370En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 37En stock
2.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 83En stock
5.00019/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 610 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 129 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 4.114En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 21.228En stock
15.00005/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 26.601En stock
20.00010/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.477En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 550 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.513En stock
10.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 7.986En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 9.913En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2.988En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 6.975En stock
5.00013/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 285 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 4.071En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000
Si SMD/SMT sTOLL-6 N-Channel 1 Channel 40 V 475 A 600 uOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 257En stock
10.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.582En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1En stock
2.00001/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 80En stock
20.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 200En stock
15.00013/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.140En stock
5.00012/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5En stock
5.00001/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.800En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 113 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
13.20001/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 637 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 62 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
26.269Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
9.99515/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
8.985Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape