Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de RDS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

Résultats: 81
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Fiche technique
927En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Fiche technique
590En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Fiche technique
696En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
7.053En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
13.458En stock
18.00028/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 31 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
7.136En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
Fiche technique
3.967En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
Fiche technique
2.295En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
1.027En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1.419En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
1.532En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
630En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
2.490En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1.027En stock
3.60002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
5.305En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 31 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
2.215En stock
5.00002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
4.914En stock
10.00016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
5.584En stock
4.80005/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
11.872En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
3.826En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
6.870En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
7.279En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
63.860En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
88.483En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
24.135En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 238 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape