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BSZ063N04LS6ATMA1

Name: Infineon BSZ063N04LS6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ063N04LS6ATMA
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-BSZ063N04LS6ATMA

N° de fab. :

BSZ063N04LS6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 40V

Fiche technique:

BSZ063N04LS6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,628 €	0,63 €
	0,509 €	5,09 €
	0,44 €	44,00 €
	0,409 €	204,50 €
	0,376 €	376,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,376 €	1.880,00 €
	0,353 €	3.530,00 €
	0,344 €	8.600,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSDSON-FL-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	9.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	38 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	64 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1 ns
Série:	BSZ0xx
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSZ063N04LS6 SP001687058
Poids de l''unité:	38,760 mg

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.