MOSFET de puissance série EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF

Les MOSFET de puissance série EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF de Vishay sont des MOSFET de puissance à canal N à diode Fast Body 600 V développés pour les topologies à commutation souple et ZVS, comme les ponts à décalage de phase et les demi-ponts convertisseur LLC. Les MOSFET de puissance série EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF améliorent la fiabilité dans ces applications en offrant une Qrr 10 fois plus faible que les MOSFET standard. Ceci permet aux composants de regagner la capacité de bloquer la tension totale de panne plus rapidement, aidant à éviter les défaillances dues à la surchauffe ou au courant traversant. De plus, la Qrr réduite permet de plus faibles pertes de recouvrement inverse par rapport aux MOSFET standard. Le niveau ultra-faible de résistance en marche et de charge de grille de ces composants se traduit par un niveau extrêmement faible de conduction et de pertes de commutation pour économiser l'énergie dans les applications en mode commutation à haute puissance et hautes performances. Basée sur la technologie à super-jonction de série E, la série est classée Avalanche Energy (UIS) et disponible en boîtiers TO-220, TO-263, TO-220F et TO-247AC.
En savoir plus

Résultats: 31
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 8.004En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET 832En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET 1.520En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 2.606En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode 1.735En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode 1.048En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 339En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 3.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V 7.619En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) 835En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode 1.715En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.927En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.920En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 117 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.920En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD 434En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.996En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 440En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET 946En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 1.067En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 461En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 20A N-CH MOSFET 1.540En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC 98En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 20A N-CH MOSFET 1.397En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
47503/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode 500Stock disponible
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube