π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22 5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ 19En stock
800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 7.5 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm 242En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm 337En stock
25016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm 233En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 840 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86 200En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 8.5 A 860 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
15026/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
149Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.5 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 200

Si Through Hole PW-Mold2-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 10 A 720 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 600 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 520 mOhms 25 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52 Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 12 A 520 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 12 A 580 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 12 A 570 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 13 A 460 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 400 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13.5 A 480 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25 Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms 102 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37 Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 14 A 370 mOhms 50 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33 Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 16 A 330 mOhms 50 W MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 4 A 2.45 Ohms 30 W MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88 Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 4 A 1.88 Ohms 35 W MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.9 Ohms 35 W MOSVII