TK8A50D(STA4,Q,M)

Toshiba
757-TK8A50DSTA4QM
TK8A50D(STA4,Q,M)

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Modèle de ECAO:
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En stock: 337

Stock:
337
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
250
16/03/2026 attendu
Délai usine :
32
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,78 € 1,78 €
0,903 € 9,03 €
0,877 € 87,70 €
0,691 € 345,50 €
0,545 € 545,00 €
0,543 € 1.357,50 €
0,541 € 2.705,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
8 A
850 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Temps de descente: 12 ns
Transconductance directe - min.: 1 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 20 ns
Série: TK8A50D
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 60 ns
Délai d'activation standard: 40 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.