MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon Technologies présentent une faible résistance RDS(on) de pointe, des performances de commutation améliorées et un excellent comportement EMI qui contribuent à une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité inégalées. La technologie OptiMOS 6 offre des améliorations significatives par rapport à son prédécesseur, OptiMOS 5, notamment une résistance RDS(on) 41 % plus faible, un facteur de mérite FOMg de 20 % inférieur et un facteur de mérite FOMgd de 17 % inférieur. De plus, ces MOSFET présentent une robustesse élevée en matière d’avalanches et une température de jonction maximale de +175 °C, garantissant ainsi une exploitation robuste et stable dans des environnements exigeants. Avec un large portefeuille de boîtier, les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications de fréquence à commutation élevée et faible, offrant une fiabilité améliorée du système et une durée de vie plus longue.

Résultats: 12
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Fiche technique
1.043En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Fiche technique
1.500En stock
1.00016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Fiche technique
4.054En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Fiche technique
Délai de livraison 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
Fiche technique
1.979En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package
Fiche technique
4.004En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Fiche technique
333En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Fiche technique
998En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Fiche technique
277En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Fiche technique
1.235En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Fiche technique
232En stock
1.00026/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Fiche technique
927En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube