Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IPT034N15NM6ATMA1

Name: Infineon IPT034N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT034N15NM6ATMA
Price: 3.66 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPT034N15NM6ATMA

N° de fab. :

IPT034N15NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IPT034N15NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IPT034N15NM6ATMA1

En stock: 4.054

Stock:: 4.054 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,66 €	3,66 €
	2,86 €	28,60 €
	2,31 €	231,00 €
	2,06 €	1.030,00 €
	1,76 €	1.760,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	1,70 €	3.400,00 €
	1,66 €	6.640,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-HSOF-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	194 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	69 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	294 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPT034N15NM6 SP006055099

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IPT034N15NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon Technologies présentent une faible résistance R_DS(on) de pointe, des performances de commutation améliorées et un excellent comportement EMI qui contribuent à une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité inégalées. La technologie OptiMOS 6 offre des améliorations significatives par rapport à son prédécesseur, OptiMOS 5, notamment une résistance R_{DS(on) 41 % plus faible}, un facteur de mérite FOM_g de 20 % inférieur et un facteur de mérite FOM_gd de 17 % inférieur. De plus, ces MOSFET présentent une robustesse élevée en matière d’avalanches et une température de jonction maximale de +175 °C, garantissant ainsi une exploitation robuste et stable dans des environnements exigeants. Avec un large portefeuille de boîtier, les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications de fréquence à commutation élevée et faible, offrant une fiabilité améliorée du système et une durée de vie plus longue.

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.