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IGD70R140D2SAUMA1

Name: Infineon IGD70R140D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGD70R140D2SAUMA
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IGD70R140D2SAUMA

N° de fab. :

IGD70R140D2SAUMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IGD70R140D2SAUMA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.6 V
Qg - Charge de grille:	1.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	29 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolGaN
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	23 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	CoolGaN G5
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	CoolGaN Transistor
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IGD70R140D2S SP006085341

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V d'Infineon Technologies représentent une avancée significative dans la technologie de conversion d'énergie. Ces transistors en nitrure de gallium (GaN) sont conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide et minimisant les pertes d'énergie. La série 700 V CoolGaN G5 comprend des transistors en mode d'amélioration qui sont normalement désactivés, garantissant une exploitation sûre et une haute fiabilité. Présentant une petite charge de sortie et grille, ces transistors soutiennent des conceptions de densité haute puissance et réduisent les coûts de nomenclature système.