MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 40 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7 40 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à faible RDS(on) et courant élevé avec un comportement de commutation optimisé. Ces MOSFET automobile à canal N offrent une densité de puissance élevée densité, de faibles pertes de conduction, et une densité de courant élevée. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont livrés dans un boîtier avancé sans fils de 3 mm x 3 mm avec Cu-Clip pour une faible Ron du boîtier et une inductance parasite minimale. Ces MOSFET sont testés en avalanche à 100 % et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont idéaux pour des applications telles que la distribution d'énergie, les vérins de vitres, les sièges électriques, les EPS à haute redondance et les modules de contrôle de carrosserie.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Fiche technique
560En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
792En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
780En stock
5.00016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
784En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
700En stock
5.00012/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
700En stock
5.00019/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
693En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.78 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
264En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
788En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
216En stock
5.00028/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
344En stock
5.00016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
232En stock
5.00012/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 65 A 5.04 mOhms 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
43En stock
5.00012/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
10.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 770 uOhms 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape