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STP315N10F7

Name: STMicroelectronics STP315N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP315N10F7
Price: 4.34 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STP315N10F7

N° de fab. :

STP315N10F7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Fiche technique:

STP315N10F7 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	180 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	315 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	40 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	108 ns
Série:	STP315N10F7
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	148 ns
Délai d'activation standard:	62 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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