BFU590QX

NXP Semiconductors
771-BFU590QX
BFU590QX

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires RF NPN wideband silicon RF transistor

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Prix (EUR)

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Ruban à découper / MouseReel™
1,84 € 1,84 €
1,15 € 11,50 €
0,748 € 74,80 €
0,576 € 288,00 €
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0,422 € 422,00 €
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NXP
Catégorie du produit: Transistors bipolaires RF
RoHS:  
BFU590Q
Bipolar Wideband
Si
NPN
8 GHz
60
12 V
2 V
200 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: NXP Semiconductors
Courant CC max. du collecteur: 300 mA
Alimentation en sortie: 22 dBm
Pd - Dissipation d’énergie : 2 W
Type de produit: RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: 934067977115
Poids de l''unité: 40,337 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistors RF à silicium large bande NPN BFU5x

Les transistors RF à silicium large bande NPN BFU5x NXP Semiconductor sont des transistors RF à haute tension de rupture, faible bruit, qualifiés AEC-Q101 qui sont adaptés à des applications de faible et moyenne puissance, jusqu'à 2 GHz. Offrant des performances exceptionnelles, les transistors RF BFU5x génèrent 20 dB de gain maximal et un niveau de bruit de 0,7 dB à 900 MHz. Ces appareils offrent une meilleure réception du signal de faible à moyenne puissance et permettent aux récepteurs RF de fonctionner de façon plus solide dans les environnements bruyants. Utilisés en tant qu'oscillateurs ou amplificateurs (faible bruit), les transistors RF BFU5x supportent des tensions d'alimentation élevées et des tensions de rupture élevées. Ceci rend ces composants bien adaptés aux applications industrielles, automobiles et de communication. Cette gamme de produits est disponible dans une large variété de boîtiers standard, notamment SOT323, SOT23 et SOT143.
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