NXP Semiconductors Transistors RF à silicium large bande NPN BFU5x

Les transistors RF à silicium large bande NPN BFU5x NXP Semiconductor sont des transistors RF à haute tension de rupture, faible bruit, qualifiés AEC-Q101 qui sont adaptés à des applications de faible et moyenne puissance, jusqu'à 2 GHz. Offrant des performances exceptionnelles, les transistors RF BFU5x génèrent 20 dB de gain maximal et un niveau de bruit de 0,7 dB à 900 MHz. Ces appareils offrent une meilleure réception du signal de faible à moyenne puissance et permettent aux récepteurs RF de fonctionner de façon plus solide dans les environnements bruyants. Utilisés en tant qu'oscillateurs ou amplificateurs (faible bruit), les transistors RF BFU5x supportent des tensions d'alimentation élevées et des tensions de rupture élevées. Ceci rend ces composants bien adaptés aux applications industrielles, automobiles et de communication. Cette gamme de produits est disponible dans une large variété de boîtiers standard, notamment SOT323, SOT23 et SOT143.

Caractéristiques

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz
  • Enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.65dB at 900MHz
  • Maximum stable gain 20dB at 900MHz; 22dB at 900MHz (BFU590Q)
  • 11GHz or 8GHz fT silicon technology

Applications

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband amplifiers up to 2GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • Large signal amplifiers for ISM applications
  • Medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz)
  • ISM band oscillators 
  • Automotive
  • Satellite
  • Broadcast
  • FM radio
  • General-purpose
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Numéro de pièce Fiche technique Courant de collecteur continu Courant CC max. du collecteur Fréquence de fonctionnement Alimentation en sortie Pd - Dissipation d’énergie RoHS - Mouser
BFU530WX BFU530WX Fiche technique 40 mA 65 mA 11 GHz 10 dBm 450 mW Y
BFU520WX BFU520WX Fiche technique 30 mA 50 mA 10 GHz 7 dBm 450 mW Y
BFU520YX BFU520YX Fiche technique 30 mA 50 mA 10 GHz 7 dBm 450 mW Y
BFU530R BFU530R Fiche technique 40 mA 65 mA 11 GHz 10 dBm 450 mW Y
BFU530XRR BFU530XRR Fiche technique 40 mA 65 mA 11 GHz 10.5 dBm 450 mW Y
BFU590QX BFU590QX Fiche technique 200 mA 300 mA 8 GHz 22 dBm 2 W Y
BFU550R BFU550R Fiche technique 50 mA 80 mA 11 GHz 13.5 dBm 450 mW Y
BFU550WX BFU550WX Fiche technique 50 mA 80 mA 11 GHz 13.5 dBm 450 mW Y
BFU530XAR BFU530XAR Fiche technique 40 mA 65 mA 11 GHz 10 dBm 450 mW Y
Publié le: 2014-09-12 | Mis à jour le: 2025-11-26