LMG5200MOFT

Texas Instruments
595-LMG5200MOFT
LMG5200MOFT

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR

Modèle de ECAO:
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457
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Délai usine :
12
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
14,60 € 14,60 €
11,60 € 116,00 €
10,84 € 271,00 €
10,02 € 1.002,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
9,62 € 2.405,00 €
9,26 € 4.630,00 €
9,24 € 9.240,00 €
2.500 Devis
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
12,62 €
Min.:
1

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFM-9
1 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG5200
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 3 mA
Type de produit: Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source: 15 Ohms
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Nom commercial: GaN
Poids de l''unité: 2,338 g
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Étage de puissance à demi-pont GaN 80 V LMG5200

L'étage de puissance à demi-pont GaN 80 V LMG5200 Texas Instruments fournit une solution d'étage de puissance intégrée à base de FET au nitrure de gallium (GaN) à enrichissement. Le dispositif est composé de deux FET GaN 80 V commandés par un pilote FET GaN haute fréquence en configuration demi-pont. Les FET GaN offrent des avantages significatifs pour la conversion de puissance, car ils ont une récupération inverse quasi nulle et très faible capacité d'entrée CISS. Tous les composants sont montés sur une plateforme-boîtier totalement sans fil et sans liaison avec un nombre minimal d'éléments parasites au boîtier. Les entrées compatibles logique TTL peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 12 V indépendamment de la tension VCC. La technique exclusive de tension de blocage par amorçage garantit que les tensions de grille des FET GaN en mode enrichissement restent dans une plage de fonctionnement sûr.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.